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PEALD

KM-LP腔体设计
高密度远程ICP等离子体
高精度沉积控制系统
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产品描述
参数
配置 性能指标 可沉积薄膜种类
基片尺寸 标准4/6/8英寸

单 质:
Cu, Pt, Pd, Ni, Ir …

氮化物:
TiN, AlN,GaN, ZrN, HfN, …

氧化物:
TiO2 , HfO2 , SiO2 , ZnO, ZrO2 , Al2O3 , GaO , SnO2 …

加热温度 RT-400℃
前驱体源路数 2-6路前驱体源
源加热温度 最高200℃
ALD阀 swagelok,响应时间<10ms
本底真空 5×10-3Torr 或 5×10-6Torr(加分子泵)
控制系统 PLC+工控机
等离子体源 标准300W感应耦合远程等离子体
电源 50-60Hz, 380V/16A 交流电
沉积非均匀性 非均匀性<±1%(Al2O3)
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