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PEALD-B多片等离子增强原子层沉积系统

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PEALD-B多片等离子增强原子层沉积系统

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产品描述
参数

一、设备概述:
  PEALD-B等离子体增强原子层沉积系统是专门为特殊应用领域的科学研究与工业开发用户而设计的多片沉积系统,系统电气完全符合CE标准;该系统扩展了普通原子层沉积系统对前驱体源的选择范围、提高薄膜沉积速率和降低沉积温度,广泛应用于对温度敏感材料和柔性衬底上薄膜的沉积。

 

二、产品优势:
  先进的软件控制系统:系统集工艺配方、参数设置、权限设定、互锁报警、状态监控等功能于一体;

 

三、技术指标:
  基片尺寸 8英寸及以下
  基片加热温度 室温~500℃,控制精度±0.1℃
  前驱体输运系统 标准3路前驱体管路,可选配
  前驱体管路温度 室温~200℃,控制精度±0.1℃
  源瓶加热温度 室温~200℃,控制精度±0.1℃
  ALD阀 Swagelok快速高温ALD专用阀
  本底真空 <5*10-5Torr,进口防腐泵
  载气系统 N2或者Ar
  处理能力 500片8英寸
  生长模式 高速沉积模式和停留生长模式
  等离子体源 300W 感应耦合远程等离子体
  等离子体放电气源 标准3路,可选配
  控制系统 PLC+触摸屏或者显示器
  电源 50-60Hz, 220V/20A交流电源
  沉积非均匀性 非均匀性<±1%
  设备尺寸 1300mm x 800mm x 1000mm

 

四、可沉积薄膜种类:
  单 质:Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
  氮化物:TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
  氧化物:TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2…
  其它化合物:GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6…

 

五、ALD应用实例:
  高K栅氧化层,存储容性电介质,铜互连中高深宽比扩散阻挡层,OLED无针孔钝化层,MEMS的高均匀镀膜,纳米多孔结构镀膜,特种光纤掺杂,太阳能电池,平板显示器,光学薄膜,其它各类特殊结构纳米薄膜

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