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TALD热型原子层沉积系统
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产品描述
参数
一、设备概述:
TALD原子层沉积系统是专门为科研和工业小型化量产用户而设计的单片/多片沉积系统。该系统电气完全符合CE标准，广泛应用于微电子、纳米材料、光学薄膜、太阳能电池等领域。
二、技术指标:
1、腔体结构及加热控制
1.1 沉积腔室符合半导体工业标准设计，低颗粒度增加值；
1.2 真空漏率小于5*10-7Pa•L/S，；
1.3 样品台尺寸4/6/8英寸，可兼容小尺寸样品，样品温度最高加热至400℃；
2、前驱体源管路结构及加热控制
2.1 加热前驱体源或常温前驱体源系统1-6路，加热源装置及输运管路的最大加热温度200℃；
2.2 配备Swagelok快速ALD专用阀门（响应时间＜10ms）、手动阀和Swagelok 316L EP级不锈钢管路，配置50ml直通源瓶；
2.3 可选配标准OG臭氧系统、鼓泡前驱体源系统等。
3、真空系统及加热控制
3.1 配置高性能真空泵，系统本底真空能达到5*10-3Torr，系统漏率5*10-7Pa•L/s，真空泵抽速＞16m³/h；
3.2 配置有用于反应腔压力监控的压力传感器（原装进口）；
3.3 配置有热阱、真空管路加热系统；
4、控制及软件
4.1 图形化操作界面；
4.2 恰当完备的用户角色管理机制；
4.3 安全互锁功能或联动保护装置。
4.4 沉积模式：连续模式和停流模式等。
5、其他配置
5.1 提供一套标准使用、维护附件。
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