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TALD-150L原子层沉积系统
1、最低反应温度≤50℃（HfO2、Al2O3）；
2、均匀流场，低温工艺颗粒少；
3、深宽比≥70:1，保型生长。
所属分类: 原子层沉积系统（TALD）
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