您现在的位置:
首页
/
/
/
北大用ALD研制出15纳米碳纳米管CMOS器件

北大用ALD研制出15纳米碳纳米管CMOS器件

  • 分类:公司新闻
  • 发布时间:2012-10-20
  • 访问量:0

【概要描述】北京大学采用嘉兴科民电子公司ALD设备 (TALD-100)成功研制栅长15纳米的碳纳米管优越性能的CMOS器件。其中关键的HfO2高k栅介质是由嘉兴科民电子ALD制备,该介质CV曲线没有迴线,不存在短沟道效应和漏电。

北大用ALD研制出15纳米碳纳米管CMOS器件

【概要描述】北京大学采用嘉兴科民电子公司ALD设备 (TALD-100)成功研制栅长15纳米的碳纳米管优越性能的CMOS器件。其中关键的HfO2高k栅介质是由嘉兴科民电子ALD制备,该介质CV曲线没有迴线,不存在短沟道效应和漏电。

  • 分类:公司新闻
  • 作者:
  • 来源:
  • 发布时间:2012-10-20
  • 访问量:0
详情

  北京大学采用嘉兴科民电子公司ALD设备 (TALD-100)成功研制栅长15纳米的碳纳米管优越性能的CMOS器件。其中关键的HfO2高k栅介质是由嘉兴科民电子ALD制备,该介质CV曲线没有迴线,不存在短沟道效应和漏电。TALD-100是由美国硅谷专家和中科院专家联合研发,设备内腔采用SiC高集成设计,前驱体源消耗只是通常的20%,可低温生长各种高质量薄膜。

 

扫二维码用手机看

在线客服
客服热线
服务时间:
8:00 - 18:00
客服组:
在线客服